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超级电容管理芯片 CN3125

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超级电容管理芯片 CN3125

芯片功能

恒流恒压的超级电容充芯片, 最多支持同时给两个超级电容平衡充电.

能够提供 2.7V2.7V6V6V 的充电电压, 充电电压通过两个电阻反馈调节.

高达 1.5A1.5A 的充电电流可通过单个电阻调节.

同时充电的两个超级电容之间有内置的均压电路保护.

当外部输入断开时, 芯片将自动进入睡眠模式, 并使超级电容的电流限制在 3uA3uA

具有温度调节功能, 在不过热的前提下保证最快的充电效率

充电提示

当超级电容的电压达到充电电压的 94.1%94.1\% 后, #PG 引脚输出低电平. 当超级电容的电压降低到充电电压的 90%90\% 后, #PG 引脚输出高阻态. 因此可在 #PG 引脚解 LED 灯用于充电指示.

#PG 引脚的低电平吸收电流为 10mA10mA

参数选择

充电电流设置

通过 ISET 引脚连接接地电阻 RISETR_{ISET} 设置充电电流, 充电电流大小满足

ICH(A)=1188V/RISET(Ω) I_{CH}(A)=1188V/R_{ISET}(\Omega)

当芯片工作在恒压或恒温模式下, 充电电流满足

ICH=VISET/RISET×986 I_{CH}=V_{ISET}/R_{ISET}\times 986

RISETR_{ISET} 推荐使用材料为金属膜电阻

充电电压设置

通过端口 TOP 对电容充电, 输出电压满足

VREG(V)=1.205×(1+R1/R2) V_{REG}(V)=1.205\times(1+R_1/R_2)

旁路电容器

VINGND 之间需要有一个 1μF1\mu F 的旁路电容, 采用 0805 封装的陶瓷电容

为了防止接入电源时的冲击伤害芯片, 在电容前还需要串联一个二极管或并联一个 TVS 二极管